Ai快讯 12月23日，德明利（001309.SZ）在特定对象调研时表示，AI驱动的数据存储需求增长持续影响存储价格。头部云服务商向存储原厂抛出巨额采购订单，使原厂将有限产能向服务器存储倾斜，非服务器市场供应紧缺。

今年以来，存储芯片供需关系持续偏紧，第三季度后加剧，推动NAND Flash、DDR4/DDR5等产品价格上涨。2025年三季度起，主要厂商发起新一轮涨价，三星计划将部分DRAM价格上调15%-30%；美光科技9月暂停报价后，恢复报价的新价格普遍上涨约20%。

业界认为，这波存储涨价与产业链周期、AI需求双重重叠有关。不同于传统“供需博弈”周期逻辑，AI浪潮下形成了“AI应用浪潮 - 产能聚焦高端 - 技术演进提速 - 价格结构攀升”的全新逻辑。

2024年起，三星、SK海力士、美光三大存储原厂将产能大规模转向高密度和高性能产品。美光在2024年11月宣布调整消费级市场业务策略，虽计划持续通过消费渠道供货至2026年初，但对运营近30年的Crucial（英睿达）品牌进行战略性收缩。

2025年，HBM（高带宽内存）与DDR5/LPDDR5等高端产能扩张。存储原厂一边建设新工厂，如美光位于爱达荷州博伊西和日本广岛的尖端晶圆厂进入设备搬入及试产阶段，重点布局1γDRAM及HBM4等先进产能；另一边启动产线改造工程，如SK海力士将M16X厂区的部分洁净室转用于HBM生产，三星将部分传统DRAM产线改造转换为HBM专用产能。

与之对比，DDR4/LPDDR4等传统制程产能收缩。三大存储原厂停止对DDR4的资本投入和技术迭代，计划在2025 - 2026年间大幅缩减DDR4产能比重，将战略重心转向DDR5及HBM。

受此影响，低密度、成熟制程存储产品在2025年供给不足，价格上涨。根据Counterpoint Research数据，今年以来内存价格累计上涨约50%，预计第四季度再上涨30%，涨势可能延续至2026年初。CFM闪存市场预计，2026年一季度价格将延续上行趋势，MobileeMMC/UFS涨幅达25%-30%，LPDDR4X/5X涨幅30%-35%；PC端DDR5/LPDDR5X涨幅30%-35%，cSSD上涨25%-30%。

国际存储原厂的策略调整为国内存储大厂创造市场空间，但主要原厂维持审慎产能扩张策略。12月23日，德明利表示，原厂主要通过调整、升级现有产线向高价值产品倾斜。考虑到产能建设周期和达产稳定供给周期，短期内行业产能提升有限。

部分存储厂商因过去行业周期波动影响，扩产决策保守。DDR5产线增产从决策到产能落地周期在12个月以上。不过，也有厂商开启扩产计划，如德明利11月底披露定向增发预案，拟募资用于固态硬盘（SSD）和内存产品（DRAM）扩产项目，提升涵盖DDR4、DDR5技术代际的RDIMM、UDIMM等类型内存产品产能。

谨慎扩产背景下，下游需求推动存储代工产能需求增长。11月17日，中芯国际表示承接了大量存储包括NOR/NAND Flash等急单。AI产业占据大量产能，主流供应商退出细分市场，给中小规模供应商带来机遇。

国内逻辑芯片代工产能充裕，为存储制造提供协同优势。NOR Flash和2D NAND常与28 - 40nm逻辑产线共线，通过标准化工艺平台实现产线动态切换，90%的基台设备可复用，新增10%专用机台可切入3D NAND代工领域。

在技术方面，国内的Xtacking技术和海外的BiCS技术实现了3D NAND中存储阵列和逻辑电路的分立加工和集成应用；未来DRAM芯片有望借助CBA技术实现架构升级。

此外，江波龙等厂商的TCM（技术合约制造）模式为存储厂商提供代工路径。12月中旬，江波龙透露，存储价格上行阶段，TCM模式客户接受度提升，导入工作加速进行，有望在更多原厂和Tier1客户合作上取得突破。

未来，逻辑晶圆有望走向代工模式，借助最适工艺实现产业协同发展。存储技术架构升级过程中，逻辑晶圆制造可在IDM模式基础上导入代工模式，采用不同制程和工艺技术，借助逻辑代工产业技术优化系统级性能，国内有望依托逻辑代工资源实现存储IDM和逻辑代工产业协同发展。

（AI撰文，仅供参考）