Ai快讯 9月12日晚间，拓荆科技（688072）披露多则重要公告，涉及对控股子公司拓荆键科的增资暨关联交易以及公司自身的定增募资预案。

公告显示，为推动控股子公司拓荆键科在三维集成设备领域的迅速发展，拓荆键科拟以投前估值25亿元的价格，融资共计不超过10.395亿元。其中，拓荆科技拟以不超过4.5亿元认缴拓荆键科新增注册资本192.1574万元，约2.71亿元以上市公司对拓荆键科经评估后的债权出资、约1.79亿元以自有资金出资。交易完成后，拓荆科技对拓荆键科的出资额占本次增资后拓荆键科注册资本的比例约为53.5719%。

值得关注的是，大基金三期的子基金国投集新（北京）股权投资基金（有限合伙）拟以不超过4.5亿元认缴拓荆键科新增注册资本192.1574万元。交易完成后，国投集新对拓荆键科的出资额占本次增资后拓荆键科注册资本的比例约为12.7137%。公开资料显示，国投集新股东为国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司、国投创业（北京）私募基金管理有限公司，其成立于2024年12月31日，出资额710.71亿元，主要出资人是大基金三期。这意味着拓荆键科或为大基金三期投资的第一个项目。

除国投集新和拓荆科技外，参与拓荆键科本次增资的投资者还有上海华虹虹芯二期创业投资合伙企业、员工持股平台上海展昀禾科技合伙企业（有限合伙）、上海展昀启科技合伙企业（有限合伙）及海宁融创经开产业投资合伙企业（有限合伙）。此外，拓荆键科现有股东上海鑫强汇科技合伙企业（有限合伙）拟以拓荆键科投前估值25亿元计算，向不超过6名与公司及拓荆键科非关联关系的投资方转让其持有拓荆键科79.4249万元注册资本，受让方受让股权后拟将表决权全权委托给拓荆科技行使。经上述增资、股东股权转让及表决权委托事项后，拓荆科技预计将合计控制拓荆键科约77.7069%的表决权，拓荆键科仍为其合并报表范围内的控股子公司。

大基金三期愿意以投前25亿元估值投资拓荆键科，主要是看中其在三维集成和键合技术方面的潜力。拓荆键科主要聚焦应用于三维集成领域先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设备的研发与产业化应用，已先后推出多款相关产品，且产品已出货至先进存储、逻辑、图像传感器等客户，致力于为三维集成领域提供全面技术解决方案。

随着AI大模型及生成式AI快速发展，对AI算力芯片需求不断推升，HBM成为AI芯片性能突破的核心组件，引领先进封装和3D堆叠技术发展，给后道封装设备带来激增需求，键合设备率先受益。据摩根大通预测，HBM TCB设备市场规模将从2024年的4.61亿美元大幅增长，到2027年有望突破15亿美元。Yole数据显示，2024年混合键合设备市场增速达67%，其在HBM市场的渗透率将从2025年的1%跃升至2028年的36%，对应市场规模从900万美元爆发式增长至8.73亿美元，年复合增长率超150%。财务数据显示，拓荆键科2024年的营业收入、净利润分别为9729.50万元、 - 213.65万元。

同日，拓荆科技还披露定增预案，公司拟向特定对象发行股票募集资金总额不超过46亿元，将用于高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目建设及补充流动资金。公司表示，本次定增募投项目旨在推动高端半导体设备行业高质量发展，面向行业发展需求提升公司可持续增长能力，扩充高端半导体设备产能增强公司核心竞争优势。

根据SEMI预测，全球300mm晶圆厂设备投资预计将在2025年增长20%至1165亿美元，2026年将增长12%至1305亿美元，未来几年将大幅增长；中国大陆市场也将在2025 - 2027年保持每年300亿美元以上的投资规模，继续引领全球晶圆厂设备支出。作为半导体三大核心设备之一的薄膜沉积设备在半导体设备全球销售额中占比约22%，在晶圆产能持续扩张背景下，以薄膜沉积设备为代表的半导体设备产业将迎来新一轮发展机遇与更广阔市场空间。拓荆科技自成立以来始终专注于高端半导体设备研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，达到国际先进水平，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备产品系列，可为集成电路芯片制造产线提供高端专用半导体设备。

（AI撰文，仅供参考）