Ai快讯 在中国半导体产业版图中，无锡是颇为亮眼的一极。2024年，无锡集成电路产业规上产值超2500亿元，规模居全国第二。其中，芯片设计产值达418亿元，居全国第四；晶圆制造产值达593.45亿元，居全国第三；封装测试产值达652.51亿元，居全国第一。

在“核心三业”之外，半导体设备和零部件领域不仅是集成电路产业链最基础的环节，也是长期被国外卡脖子的关键领域。全球半导体设备市场高度集中，前5大半导体设备供应商地位稳定，直至2024年，全球前10大半导体设备商中才出现了中国企业的身影。

近年来，无锡聚焦28nm及以下先进制程设备、第三代半导体及光电芯片制造专用设备等关键方向精准发力，“十四五”期间半导体设备与核心零部件产业规模增长220%。目前，无锡拥有设备、零部件重点企业近100家，除前道光刻机领域外均有布局。

设备突围

半导体设备主要分为晶圆制造设备和半导体封装测试设备两大类。其中，薄膜沉积设备与刻蚀设备、光刻设备并称为晶圆制造的三大主设备。

在薄膜沉积设备领域，无锡走出了一批国产化主力。微导纳米（688147.SH）是无锡首家上市的集成电路装备企业，也是其中的代表。2015年微导纳米成立时，国内已有PVD设备企业、CVD设备企业，但没有ALD设备企业，国内ALD市场被荷兰先晶半导体（ASM）、东京电子（TEL）等国外厂商占据。面对巨头垄断，微导纳米创始技术团队选择从ALD中最难的高介电常数（High - k）栅氧薄膜工艺做起。

2018年，美国出台针对中国的半导体产品出口限制，催生了国内半导体厂商的国产化需求。2021年，微导纳米首台半导体领域设备实现销售，为国产首台成功应用于28nm节点集成电路制造前道生产线的量产型High - k原子层沉积设备。

2022年成立于无锡的研微（江苏）半导体科技有限公司同样以ALD设备破局，在薄膜沉积设备市场站稳脚跟。研微研发副总许正昱指出，很多企业在量产阶段遇到技术难题，而研微的创始团队具备量产机台的经验，在设备设计阶段便以量产为基调，攻克目前高端制程中薄膜沉积设备的部分技术难题。目前，研微自主研发的等离子体增强原子层沉积（PEALD）设备实现了在逻辑芯片、存储芯片、先进封装三大赛道全覆盖，并完成了Thermal ALD、PEALD等薄膜多类型设备交付。

零部件支撑

半导体产业有“一代技术、一代工艺、一代设备”的规律，而半导体设备结构复杂、集成度高，绝大部分关键核心技术需要以零部件为载体实现。但目前，我国半导体零部件国产化率仅10% - 20%，其中，真空类、仪器仪表和光学领域的国产化率均不足5%。

2011年从北京迁至无锡的无锡海古德新技术有限公司，是ESC静电卡盘领域的国产化佼佼者。静电卡盘是多个半导体前道核心设备中的核心零部件，也是应用最广泛的晶圆夹持工具，但其市场被美国和日本制造商高度垄断。

面对市场空白，海古德自2016年便开始研发ESC静电卡盘，2021年加快全面研发多款ESC静电卡盘。海古德董事长孙伟介绍，公司基于客户的设备腔体、工艺流程和使用场景，与客户共同进行研发设计，且从配方、工艺到热震荡烧结技术都是自主研发的，相较进口设备成本较低，也便于维修。2024年，海古德在国内率先实现ESC静电卡盘量产，并在2025年进一步扩产，目前12寸静电卡盘已大量交付。

此外，无锡还围绕“卡脖子”环节和技术壁垒高、附加值高的关键部件，引育孵化出了星微科技、纳斯凯、大族富创得、诚承电子、地心科技等核心零部件制造企业。

模式创新

在无锡半导体设备和零部件产业生态中，特色园区、公共服务平台发挥了牵引作用。无锡新港集成电路装备零部件产业园自2024年7月无锡国家集成电路设计基地有限公司接手运营以来，目前集聚了20余家半导体设备和零部件企业，一年内实现“满园”运营，并遵循半导体全球化分工的规律，从日本、韩国招引企业。

在设备、零部件国产化道路上，新港产业园设立了无锡半导体装备与关键零部件创新中心。创新中心专注于关键设备、零部件技术创新孵化，积极开展与上市公司的合作以及外资项目在地合资生产。创新中心总经理谢作建深感国产化之紧迫，其核心团队拥有成功的半导体装备量产以及国产化零部件量产经验，能够定向筛选项目并嫁接产业资源，推动设备和零部件进入国内主流制造企业和设备厂商的核心供应链。

创新中心的股权架构也体现了产业需求驱动的创新思路：核心团队持股75%，无锡高新区持股15%，无锡产业研究院持股10%。核心团队既有更大的决策权，也要承担更大的绩效考核压力。

记者了解到，下一阶段，无锡还将布局维保中心、集散中心、创新中心等三大中心，助力形成从研发、生产到维护的完整产业生态，加速建设集成电路装备及零部件集聚区。

（AI撰文，仅供参考）